מספר מוצר של יצרן:
FDD5N50TM
Product Overview
יצרן:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
FDD5N50TM-DG
תיאור:
4A, 500V, 1.4OHM, N-CHANNEL POWE
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 4A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
מלאי:
2984 יחידות חדשות מק originales במלאי
12947183
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
rDFA
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDD5N50TM מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.4Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
15 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
640 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
40W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252 (DPAK)
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-FDD5N50TM
FAIFSCFDD5N50TM
חבילה סטנדרטית
919
סיווג סביבתי וייצוא
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NTR3A085PZT1G
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
IRF6613TRPBF
IRF6613 - 12V-300V N-CHANNEL POW
IPP80R1K2P7
IPP80R1K2 - 800V COOLMOS N-CHANN
