מספר מוצר של יצרן:
FQPF19N10
Product Overview
יצרן:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
FQPF19N10-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 13.6A TO220F
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 13.6A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3
מלאי:
582 יחידות חדשות מק originales במלאי
12947160
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQPF19N10 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
13.6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
100mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
25 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
780 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
38W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220F-3
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
ONSONSFQPF19N10
2156-FQPF19N10
חבילה סטנדרטית
1
סיווג סביבתי וייצוא
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
OP540/BD/C3,027
OP540/BD - CUSTOM MOSFET
IRF8304MTRPBF
IRF8304 - 12V-300V N-CHANNEL POW
FQPF19N20
MOSFET N-CH 200V 11.8A TO220F