מספר מוצר של יצרן:
FDPF680N10T
Product Overview
יצרן:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
FDPF680N10T-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 12A TO220F
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 12A (Tc) 24W (Tc) Through Hole TO-220F-3
מלאי:
46188 יחידות חדשות מק originales במלאי
12946702
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDPF680N10T מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
68mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
17 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1000 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
24W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220F-3
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-FDPF680N10T
FAIFSCFDPF680N10T
חבילה סטנדרטית
444
סיווג סביבתי וייצוא
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FQI8N60CTU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
IRLR2905ZTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
FQP7P06
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
