FDPF5N50T
מספר מוצר של יצרן:

FDPF5N50T

Product Overview

יצרן:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics מספר חלק:

FDPF5N50T-DG

תיאור:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 5A (Tc) 28W (Tc) Through Hole TO-220F-3

מלאי:

55864 יחידות חדשות מק originales במלאי
12946835
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

FDPF5N50T מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
UniFET™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
15 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
640 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
28W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220F-3
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
2156-FDPF5N50T
FAIFSCFDPF5N50T
חבילה סטנדרטית
485

סיווג סביבתי וייצוא

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
fairchild-semiconductor

FDS86540

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

fairchild-semiconductor

FDG312P

MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88

fairchild-semiconductor

FDG311N

MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88

stmicroelectronics

STE70NM60

MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP