מספר מוצר של יצרן:
FDG311N
Product Overview
יצרן:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
FDG311N-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88
תיאור מפורט:
N-Channel 20 V 1.9A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
מלאי:
65240 יחידות חדשות מק originales במלאי
12946841
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDG311N מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.9A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
115mOhm @ 1.9A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
4.5 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±8V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
270 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
750mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SC-88 (SC-70-6)
חבילה / מארז
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-FDG311N
FAIFSCFDG311N
חבילה סטנדרטית
1,466
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STE70NM60
MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP
IRFH7934TRPBF
MOSFET N-CH 30V 24A/76A 8PQFN
FDS8882
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
