FDP7030BL
מספר מוצר של יצרן:

FDP7030BL

Product Overview

יצרן:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics מספר חלק:

FDP7030BL-DG

תיאור:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 60A (Ta) 60W (Tc) Through Hole TO-220-3

מלאי:

72127 יחידות חדשות מק originales במלאי
12947139
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

FDP7030BL מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
60A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
24 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1760 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
60W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-65°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
2156-FDP7030BL
FAIFSCFDP7030BL
חבילה סטנדרטית
436

סיווג סביבתי וייצוא

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
fairchild-semiconductor

FDP100N10

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

international-rectifier

IRF6641TRPBF

IRF6641 - 12V-300V N-CHANNEL POW

fairchild-semiconductor

FQU5N60CTU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

nxp-semiconductors

PSMN2R6-60PSQ

NOW NEXPERIA PSMN2R6-60PSQ - 150