IRF6641TRPBF
מספר מוצר של יצרן:

IRF6641TRPBF

Product Overview

יצרן:

International Rectifier

DiGi Electronics מספר חלק:

IRF6641TRPBF-DG

תיאור:

IRF6641 - 12V-300V N-CHANNEL POW
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 4.6A (Ta), 26A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ

מלאי:

720 יחידות חדשות מק originales במלאי
12947144
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IRF6641TRPBF מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
HEXFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.6A (Ta), 26A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
59.9mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.9V @ 150µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
48 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2290 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
DIRECTFET™ MZ
חבילה / מארז
DirectFET™ Isometric MZ
מספר מוצר בסיסי
IRF6641

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
IRF6641TRPBF Datasheet

מידע נוסף

שמות אחרים
2156-IRF6641TRPBF-IR
INFIRFIRF6641TRPBF
חבילה סטנדרטית
150

סיווג סביבתי וייצוא

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
עבודת תקן DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
מוצרים קשורים
fairchild-semiconductor

FQU5N60CTU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

nxp-semiconductors

PSMN2R6-60PSQ

NOW NEXPERIA PSMN2R6-60PSQ - 150

fairchild-semiconductor

FCU2250N80Z

MOSFET N-CH 800V 2.6A I-PAK

fairchild-semiconductor

FDB8896

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8