FDMS8027S

מספר מוצר של יצרן:

FDMS8027S

Product Overview

יצרן:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics מספר חלק:

FDMS8027S-DG

תיאור:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

תיאור מפורט:

N-Channel 30 V 18A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

מלאי:

18985 יחידות חדשות מק originales במלאי

12947123

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

FDMS8027S מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

אריזות

Bulk

סדרה

PowerTrench®, SyncFET™

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

30 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

18A (Ta), 22A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

5mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

3V @ 1mA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

31 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

1815 pF @ 15 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

2.5W (Ta), 36W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

8-PQFN (5x6)

חבילה / מארז

8-PowerTDFN

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים

2156-FDMS8027S

FAIFSCFDMS8027S

חבילה סטנדרטית

347

סיווג סביבתי וייצוא

ECCN

EAR99

HTSUS

8542.39.0001

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

nxp-semiconductors

PHB18NQ10T,118

MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK

fairchild-semiconductor

FDFM2P110

MOSFET P-CH 20V 3.5A MICROFET

fairchild-semiconductor

FDP7030BL

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

fairchild-semiconductor

FDP100N10

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7