FDMS7580
מספר מוצר של יצרן:

FDMS7580

Product Overview

יצרן:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics מספר חלק:

FDMS7580-DG

תיאור:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
תיאור מפורט:
N-Channel 25 V 15A (Ta), 29A (Tc) 2.5W (Ta), 27W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

מלאי:

12000 יחידות חדשות מק originales במלאי
12946528
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

FDMS7580 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
25 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
15A (Ta), 29A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
7.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
20 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1190 pF @ 13 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta), 27W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-PQFN (5x6)
חבילה / מארז
8-PowerTDFN

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
2156-FDMS7580
FAIFSCFDMS7580
חבילה סטנדרטית
404

סיווג סביבתי וייצוא

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
fairchild-semiconductor

FDPF55N06

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5

fairchild-semiconductor

FDP039N08B-F102

MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3

fairchild-semiconductor

FDPF16N50UT

MOSFET N-CH 500V 15A TO220F

international-rectifier

IRL60SL216

IRL60SL216 - 12V-300V N-CHANNEL