מספר מוצר של יצרן:
FDMS4435BZ
Product Overview
יצרן:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
FDMS4435BZ-DG
תיאור:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
תיאור מפורט:
P-Channel 30 V 9A (Ta), 18A (Tc) 2.5W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
מלאי:
1500 יחידות חדשות מק originales במלאי
12946810
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDMS4435BZ מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9A (Ta), 18A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
20mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
47 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2050 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta), 39W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-PQFN (5x6)
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
ONSONSFDMS4435BZ
2156-FDMS4435BZ
חבילה סטנדרטית
532
סיווג סביבתי וייצוא
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FQD1N60CTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDD6688
MOSFET N-CH 30V 84A DPAK
FDPF5N50NZ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4