מספר מוצר של יצרן:
FQD1N60CTM
Product Overview
יצרן:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
FQD1N60CTM-DG
תיאור:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 1A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
מלאי:
1490 יחידות חדשות מק originales במלאי
12946814
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FQD1N60CTM מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
QFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
11.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
6.2 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
170 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252 (DPAK)
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
FAIFSCFQD1N60CTM
2156-FQD1N60CTM
חבילה סטנדרטית
1,110
סיווג סביבתי וייצוא
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDD6688
MOSFET N-CH 30V 84A DPAK
FDPF5N50NZ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
IRF3703PBF
IRF3703 - 12V-300V N-CHANNEL POW
