FDD8447L

מספר מוצר של יצרן:

FDD8447L

Product Overview

יצרן:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics מספר חלק:

FDD8447L-DG

תיאור:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

תיאור מפורט:

N-Channel 40 V 15.2A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

מלאי:

25550 יחידות חדשות מק originales במלאי

12946652

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

FDD8447L מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

אריזות

Bulk

סדרה

PowerTrench®

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

40 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

15.2A (Ta), 50A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

8.5mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

3V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

52 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

1970 pF @ 20 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

3.1W (Ta), 44W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

TO-252 (DPAK)

חבילה / מארז

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים

2156-FDD8447L

ONSONSFDD8447L

חבילה סטנדרטית

705

סיווג סביבתי וייצוא

ECCN

EAR99

HTSUS

8542.39.0001

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

stmicroelectronics

STD80N4F6

MOSFET N-CH 40V 80A DPAK

fairchild-semiconductor

FCU4300N80Z

MOSFET N-CH 800V 1.6A I-PAK

international-rectifier

IRF40DM229

MOSFET N-CH 40V 159A DIRECTFET

infineon-technologies

BSC091N03MSCGATMA1

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1