מספר מוצר של יצרן:
FDD6688S
Product Overview
יצרן:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
FDD6688S-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 88A DPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 88A (Ta) 69W (Ta) Surface Mount TO-252 (DPAK)
מלאי:
6966 יחידות חדשות מק originales במלאי
13076004
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDD6688S מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
PowerTrench®
אריזה
Bulk
מצב חלק
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
88A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
5.1mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
81 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3290 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
69W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252 (DPAK)
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-FDD6688S
FAIFSCFDD6688S
2156-FDD6688S-FSTR-ND
חבילה סטנדרטית
217
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDB5645
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
HUF75623P3
MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3
FDS6299S
MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
