מספר מוצר של יצרן:
HUF75623P3
Product Overview
יצרן:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
HUF75623P3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 22A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
4436 יחידות חדשות מק originales במלאי
13076023
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
HUF75623P3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Tube
סדרה
UltraFET™
אריזה
Tube
מצב חלק
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
22A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
64mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
52 nC @ 20 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
790 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
85W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
FAIFSCHUF75623P3
2156-HUF75623P3-FS
חבילה סטנדרטית
579
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDS6299S
MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
NP80N04NDG-S18-AY
MOSFET N-CH 40V 80A TO262
HUFA76609D3ST
MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA