מספר מוצר של יצרן:
FDD6530A
Product Overview
יצרן:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
FDD6530A-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 20V 21A TO252
תיאור מפורט:
N-Channel 20 V 21A (Ta) 3.3W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
מלאי:
12947019
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDD6530A מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
-
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
21A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
32mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
9 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±8V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
710 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.3W (Ta), 33W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252 (DPAK)
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-FDD6530A
ONSFSCFDD6530A
חבילה סטנדרטית
533
סיווג סביבתי וייצוא
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDD8896-F085
MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA
FDMS8026S
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FQI50N06TU
MOSFET N-CH 60V 50A I2PAK