מספר מוצר של יצרן:
FDD8896-F085
Product Overview
יצרן:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
FDD8896-F085-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 17A (Ta), 94A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
מלאי:
973 יחידות חדשות מק originales במלאי
12947023
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDD8896-F085 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
17A (Ta), 94A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
5.7mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
60 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2525 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
80W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252 (DPAK)
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-FDD8896-F085
ONSFSCFDD8896-F085
חבילה סטנדרטית
614
סיווג סביבתי וייצוא
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDMS8026S
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FQI50N06TU
MOSFET N-CH 60V 50A I2PAK
FDMS86152
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
