מספר מוצר של יצרן:
FDB603AL
Product Overview
יצרן:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
FDB603AL-DG
תיאור:
N-CHANNEL POWER MOSFET
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 33A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-263AB
מלאי:
39200 יחידות חדשות מק originales במלאי
12933377
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDB603AL מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
33A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
22mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
26 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
670 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
50W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-65°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263AB
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-FDB603AL
FAIFSCFDB603AL
חבילה סטנדרטית
247
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDB7042L
N-CHANNEL POWER MOSFET
HUF76129P3
N-CHANNEL POWER MOSFET
TPIC5621LDW
N-CHANNEL POWER MOSFET