HUF76129P3
מספר מוצר של יצרן:

HUF76129P3

Product Overview

יצרן:

Harris Corporation

DiGi Electronics מספר חלק:

HUF76129P3-DG

תיאור:

N-CHANNEL POWER MOSFET
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 56A (Tc) 105W (Tc) Through Hole TO-220AB

מלאי:

24454 יחידות חדשות מק originales במלאי
12933383
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

HUF76129P3 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
UltraFET™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
56A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
16mOhm @ 56A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
45 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1350 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
105W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
2156-HUF76129P3
HARHARHUF76129P3
חבילה סטנדרטית
365

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
texas-instruments

TPIC5621LDW

N-CHANNEL POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

HUF76009P3

N-CHANNEL POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

HUF76143S3ST

N-CHANNEL POWER MOSFET

harris-corporation

HUF76121S3

N-CHANNEL POWER MOSFET