מספר מוצר של יצרן:
FDB029N06
Product Overview
יצרן:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
FDB029N06-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 231W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
מלאי:
5208 יחידות חדשות מק originales במלאי
12946970
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDB029N06 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
120A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.1mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
151 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
9815 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
231W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
FAIFSCFDB029N06
2156-FDB029N06
חבילה סטנדרטית
73
סיווג סביבתי וייצוא
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
AUIRF1010ZL
MOSFET N-CH 55V 75A TO262
FDS4470
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDD8796
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
