מספר מוצר של יצרן:
FDS4470
Product Overview
יצרן:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
FDS4470-DG
תיאור:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
תיאור מפורט:
N-Channel 40 V 12.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
193682 יחידות חדשות מק originales במלאי
12946980
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
FDS4470 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
אריזות
Bulk
סדרה
PowerTrench®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12.5A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
9mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
63 nC @ 10 V
VGS (מקס')
+30V, -20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2659 pF @ 20 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-FDS4470
ONSONSFDS4470
חבילה סטנדרטית
329
סיווג סביבתי וייצוא
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDD8796
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
FDD8880_F054
1-ELEMENT, N-CHANNEL POWER MOSFE
FDP8880
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
