EPC8004
מספר מוצר של יצרן:

EPC8004

Product Overview

יצרן:

EPC

DiGi Electronics מספר חלק:

EPC8004-DG

תיאור:

GANFET N-CH 40V 4A DIE
תיאור מפורט:
N-Channel 40 V 4A (Ta) Surface Mount Die

מלאי:

8790 יחידות חדשות מק originales במלאי
12815437
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

EPC8004 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
EPC
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
eGaN®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
GaNFET (Gallium Nitride)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
110mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
0.45 nC @ 5 V
VGS (מקס')
+6V, -4V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
52 pF @ 20 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
-
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
Die
חבילה / מארז
Die

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים
EPC8004
גיליון נתונים של HTML
EPC8004-DG
גליונות נתונים
EPC8004 eGaN® FET Brief

מידע נוסף

שמות אחרים
917-1072-1
917-1072-2
917-1072-6
חבילה סטנדרטית
2,500

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
עבודת תקן DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
מוצרים קשורים
microchip-technology

DN2540N3-G

MOSFET N-CH 400V 120MA TO92

infineon-technologies

IRFSL59N10D

MOSFET N-CH 100V 59A TO262

infineon-technologies

IRF250P224

MOSFET N-CH 250V 96A TO247AC

microchip-technology

DN3525N8-G

MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA