ZXMP10A18GTA

מספר מוצר של יצרן:

ZXMP10A18GTA

Product Overview

יצרן:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics מספר חלק:

ZXMP10A18GTA-DG

תיאור:

MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223

תיאור מפורט:

P-Channel 100 V 2.6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3

מלאי:

23978 יחידות חדשות מק originales במלאי

12906222

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

vdxZ

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

ZXMP10A18GTA מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Diodes Incorporated

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

P-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

100 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

2.6A (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

150mOhm @ 2.8A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

26.9 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

1055 pF @ 50 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

2W (Ta)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

SOT-223-3

חבילה / מארז

TO-261-4, TO-261AA

מספר מוצר בסיסי

ZXMP10

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

ZXMP10A18GTA-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

ZXMP10A18GDKR

ZXMP10A18GTR

ZXMP10A18GTR-NDR

ZXMP10A18GCT

ZXMP10A18GCT-NDR

ZXMP10A18GDKR-NDR

חבילה סטנדרטית

1,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

vishay-siliconix

IRF9610PBF

MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB

vishay-siliconix

IRFR310TR

MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK

vishay-siliconix

IRF830PBF

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB

vishay-siliconix

IRFR430ATRPBF

MOSFET N-CH 500V 5A DPAK