IRF9610PBF

מספר מוצר של יצרן:

IRF9610PBF

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

IRF9610PBF-DG

תיאור:

MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB

תיאור מפורט:

P-Channel 200 V 1.8A (Tc) 20W (Tc) Through Hole TO-220AB

מלאי:

11286 יחידות חדשות מק originales במלאי

12906233

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

IRF9610PBF מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Vishay

אריזות

Tube

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

P-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

200 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

1.8A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

3Ohm @ 900mA, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

11 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

170 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

20W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילת מכשירים לספקים

TO-220AB

חבילה / מארז

TO-220-3

מספר מוצר בסיסי

IRF9610

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

גליונות נתונים

IRF9610, SiHF9610 Packaging Information

מידע נוסף

שמות אחרים

*IRF9610PBF

חבילה סטנדרטית

50

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Affected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

vishay-siliconix

IRFR310TR

MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK

vishay-siliconix

IRF830PBF

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB

vishay-siliconix

IRFR430ATRPBF

MOSFET N-CH 500V 5A DPAK

diodes

ZVN4525E6TC

MOSFET N-CH 250V 230MA SOT23-6