ZXMN3A02X8TC

מספר מוצר של יצרן:

ZXMN3A02X8TC

Product Overview

יצרן:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics מספר חלק:

ZXMN3A02X8TC-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP

תיאור מפורט:

N-Channel 30 V 5.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 8-MSOP

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12886971

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

ZXMN3A02X8TC מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Diodes Incorporated

אריזות

-

סדרה

-

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

30 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

5.3A (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

25mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

1V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

26.8 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

1400 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

1.1W (Ta)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

8-MSOP

חבילה / מארז

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

מספר מוצר בסיסי

ZXMN3

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

ZXMN3A02X8TC-DG

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית

4,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק

ZXMN3A02X8TA

יצרן

Diodes Incorporated

כמות זמינה

750

DiGi מספר חלק

ZXMN3A02X8TA-DG

מחיר ליחידה

0.51

סוג משאב

Parametric Equivalent

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

diodes

ZVP2120GTA

MOSFET P-CH 200V 200MA SOT223

diodes

ZXMN6A25G

MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223

diodes

ZXMN3A14FQTA

MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3

diodes

ZXMN6A25N8TA

MOSFET N-CH 60V 4.3A 8SO