מספר מוצר של יצרן:
ZXMN6A25G
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
ZXMN6A25G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 4.8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3
מלאי:
12886982
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
ZXMN6A25G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.8A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
50mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 250µA (Min)
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
20.4 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1063 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-223-3
חבילה / מארז
TO-261-4, TO-261AA
מספר מוצר בסיסי
ZXMN6
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
ZXMN6A25GTR
ZXMN6A25GDKR
ZXMN6A25GCT
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRLL024ZTRPBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
8701
DiGi מספר חלק
IRLL024ZTRPBF-DG
מחיר ליחידה
0.25
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
ZXMN6A25GTA
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
21837
DiGi מספר חלק
ZXMN6A25GTA-DG
מחיר ליחידה
0.37
סוג משאב
Direct
מספר חלק
STN3NF06L
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
11330
DiGi מספר חלק
STN3NF06L-DG
מחיר ליחידה
0.35
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
ZXMN3A14FQTA
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3
ZXMN6A25N8TA
MOSFET N-CH 60V 4.3A 8SO
ZXMP7A17GQTA
MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223