ZXMN2A04DN8TA
מספר מוצר של יצרן:

ZXMN2A04DN8TA

Product Overview

יצרן:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics מספר חלק:

ZXMN2A04DN8TA-DG

תיאור:

MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
תיאור מפורט:
Mosfet Array 20V 5.9A 1.8W Surface Mount 8-SO

מלאי:

584 יחידות חדשות מק originales במלאי
12904074
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

ZXMN2A04DN8TA מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5.9A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
700mV @ 250µA (Min)
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
22.1nC @ 5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1880pF @ 10V
הספק - מקס'
1.8W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
חבילת מכשירים לספקים
8-SO
מספר מוצר בסיסי
ZXMN2

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
ZXMN2A04DN8CT-NDR
ZXMN2A04DN8CT
ZXMN2A04DN8DKRINACTIVE
ZXMN2A04DN8TR
ZXMN2A04DN8DKR-DG
ZXMN2A04DN8TR-NDR
ZXMN2A04DN8DKR
חבילה סטנדרטית
500

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
diodes

DMC2450UV-13

MOSFET N/P-CH 20V SOT563

diodes

DMP31D7LDW-13

MOSFET 2P-CH 0.55A SOT363

diodes

ZXMC4A16DN8TA

MOSFET N/P-CH 40V 5.2A/4.7A 8SO

diodes

ZXMHC10A07T8TA

MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8