מספר מוצר של יצרן:
ZXMHC10A07T8TA
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
ZXMHC10A07T8TA-DG
תיאור:
MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
תיאור מפורט:
Mosfet Array 100V 1A, 800mA 1.3W Surface Mount SM8
מלאי:
1000 יחידות חדשות מק originales במלאי
12904329
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
ZXMHC10A07T8TA מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1A, 800mA
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
700mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
2.9nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
138pF @ 60V, 141pF @ 50V
הספק - מקס'
1.3W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
SOT-223-8
חבילת מכשירים לספקים
SM8
מספר מוצר בסיסי
ZXMHC10
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
ZXMHC10A07T8DKR
ZXMHC10A07T8CT-NDR
ZXMHC10A07T8TR-DG
ZXMHC10A07T8CT
31-ZXMHC10A07T8TADKR
1034-ZXMHC10A07T8TR
1034-ZXMHC10A07T8DKR
31-ZXMHC10A07T8TATR
ZXMHC10A07T8DKR-DG
1034-ZXMHC10A07T8CT
ZXMHC10A07T8CT-DG
31-ZXMHC10A07T8TACT
ZXMHC10A07T8TR
ZXMHC10A07T8TR-NDR
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMN63D1LV-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.55A SOT563
ZXMN3A06DN8TA
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
ZXMC3A18DN8TA
MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.8A 8SO
