מספר מוצר של יצרן:
ZXMHC3A01N8TC
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
ZXMHC3A01N8TC-DG
תיאור:
MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.17A 8SO
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V 2.17A, 1.64A 870mW Surface Mount 8-SO
מלאי:
22384 יחידות חדשות מק originales במלאי
12949282
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
ZXMHC3A01N8TC מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.17A, 1.64A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
125mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
3.9nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
190pF @ 25V, 204pF @ 15V
הספק - מקס'
870mW
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
חבילת מכשירים לספקים
8-SO
מספר מוצר בסיסי
ZXMHC3A01
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
ZXMHC3A01N8DITR
ZXMHC3A01N8DIDKR
ZXMHC3A01N8DICT
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMN5L06VKQ-7
MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
DMN3032LFDBQ-13
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
DMC2025UFDB-13
MOSFET N/P-CH 20V 6A/3.5A 6UDFN
