מספר מוצר של יצרן:
DMN3032LFDBQ-13
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
DMN3032LFDBQ-13-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V 6.2A (Ta) 1W Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
מלאי:
12949317
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
DMN3032LFDBQ-13 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6.2A (Ta)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
30mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
10.6nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
500pF @ 15V
הספק - מקס'
1W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
6-UDFN Exposed Pad
חבילת מכשירים לספקים
U-DFN2020-6 (Type B)
מספר מוצר בסיסי
DMN3032
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
10,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMC2025UFDB-13
MOSFET N/P-CH 20V 6A/3.5A 6UDFN
DMN2041LSD-13
MOSFET 2N-CH 20V 7.63A 8SO
DMP2004DWK-7
MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT363
