DMTH8008SFGQ-13

מספר מוצר של יצרן:

DMTH8008SFGQ-13

Product Overview

יצרן:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics מספר חלק:

DMTH8008SFGQ-13-DG

תיאור:

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33

תיאור מפורט:

N-Channel 80 V 17A (Ta), 68A (Tc) 1.2W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12978601

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

DMTH8008SFGQ-13 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Diodes Incorporated

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

80 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

17A (Ta), 68A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

7mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4V @ 1mA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

31.7 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

1945 pF @ 40 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

1.2W (Ta), 50W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

כיתה

Automotive

ההסמכה

AEC-Q101

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

PowerDI3333-8

חבילה / מארז

8-PowerVDFN

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים

31-DMTH8008SFGQ-13TR

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

diodes

DMP3097L-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R

diodes

DMP65H9D0HSS-13

MOSFET BVDSS: 501V~650V SO-8 T&R

diodes

DMN68M7SCT

MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220-3 T

stmicroelectronics

STP65N045M9

N-CHANNEL 650 V, 39 MOHM TYP., 5