DMN68M7SCT
מספר מוצר של יצרן:

DMN68M7SCT

Product Overview

יצרן:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics מספר חלק:

DMN68M7SCT-DG

תיאור:

MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220-3 T
תיאור מפורט:
N-Channel 68 V 100A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת
12978608
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

DMN68M7SCT מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
68 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
100A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
72.9 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4260 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
125W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
DMN68

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
DMN68M7SCT

מידע נוסף

שמות אחרים
31-DMN68M7SCT
חבילה סטנדרטית
50

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
מוצרים קשורים
stmicroelectronics

STP65N045M9

N-CHANNEL 650 V, 39 MOHM TYP., 5

diodes

DMN2451UFB4-7B

MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-

diodes

DMP3160LQ-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R

diodes

DMN3404LQ-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R