מספר מוצר של יצרן:
DMTH10H032LFVWQ-7
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
DMTH10H032LFVWQ-7-DG
תיאור:
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI33
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 26A (Tc) 1.7W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
מלאי:
12992723
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
DMTH10H032LFVWQ-7 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Bulk
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
26A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
30mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
11.9 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
683 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.7W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount, Wettable Flank
חבילת מכשירים לספקים
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
חבילה / מארז
8-PowerVDFN
מספר מוצר בסיסי
DMTH10
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
31-DMTH10H032LFVWQ-7
חבילה סטנדרטית
2,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
DMTH10H032LFVW-7
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
DMTH10H032LFVW-7-DG
מחיר ליחידה
0.21
סוג משאב
Parametric Equivalent
מספר חלק
DMTH10H032LFVW-13
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
3000
DiGi מספר חלק
DMTH10H032LFVW-13-DG
מחיר ליחידה
0.19
סוג משאב
Parametric Equivalent
מספר חלק
DMTH10H032LFVWQ-13
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
1991
DiGi מספר חלק
DMTH10H032LFVWQ-13-DG
מחיר ליחידה
0.20
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NTPF190N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
PMX3000ENEZ
PMX3000ENEZ
G16N03S
N30V, 16A,RD<10M@10V,VTH1.0V~2.5
