מספר מוצר של יצרן:
G16N03S
Product Overview
יצרן:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
G16N03S-DG
תיאור:
N30V, 16A,RD<10M@10V,VTH1.0V~2.5
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 16A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SOP
מלאי:
3900 יחידות חדשות מק originales במלאי
12992749
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
G16N03S מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Goford Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
16A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
10mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
16.6 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
950 pF @ 15 V
תכונת FET
Standard
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SOP
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
3141-G16N03STR
3141-G16N03SDKR
4822-G16N03STR
3141-G16N03SCT
חבילה סטנדרטית
4,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FQNLNSOCTA
MOSFET N-CH
MCB145N15Y-TP
MOSFET N-CHANNEL MOSFET
ISC046N04NM5ATMA1
40V 4.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
