מספר מוצר של יצרן:
DMT69M5LH3
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
DMT69M5LH3-DG
תיאור:
MOSFET BVDSS: 41V~60V TO251 TUBE
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 75A (Tc) 3.3W (Ta), 96W (Tc) Through Hole TO-251
מלאי:
12978883
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
DMT69M5LH3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
75A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
10.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
28.4 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1406 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.3W (Ta), 96W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-251
חבילה / מארז
TO-251-3 Stub Leads, IPak
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
31-DMT69M5LH3
חבילה סטנדרטית
75
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFR110PBF-BE3
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
DMN2310UW-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
DMTH8008LFGQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
