IRFR110PBF-BE3

מספר מוצר של יצרן:

IRFR110PBF-BE3

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

IRFR110PBF-BE3-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK

תיאור מפורט:

N-Channel 100 V 4.3A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount TO-252AA

מלאי:

2966 יחידות חדשות מק originales במלאי

12978885

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

IRFR110PBF-BE3 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Vishay

אריזות

Tube

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

100 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

4.3A (Tc)

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

540mOhm @ 2.6A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

8.3 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

180 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

2.5W (Ta), 25W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

TO-252AA

חבילה / מארז

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

מספר מוצר בסיסי

IRFR110

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

IRFR110, SiHRF110

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

IRFR110PBF-BE3-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

742-IRFR110PBF-BE3

חבילה סטנדרטית

75

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Affected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

diodes

DMN2310UW-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R

diodes

DMTH8008LFGQ-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33

international-rectifier

AUIRL3705ZL

MOSFET N-CH 55V 75A TO262

diodes

DMTH8028LPSWQ-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50