מספר מוצר של יצרן:
DMT69M5LFVW-7
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
DMT69M5LFVW-7-DG
תיאור:
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 14.8A (Ta), 40.6A (Tc) 2.74W (Ta), 20.5W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
מלאי:
13000422
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
DMT69M5LFVW-7 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
14.8A (Ta), 40.6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
8.3mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
28.4 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1406 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.74W (Ta), 20.5W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount, Wettable Flank
חבילת מכשירים לספקים
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
חבילה / מארז
8-PowerVDFN
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
31-DMT69M5LFVW-7TR
חבילה סטנדרטית
2,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
DMT69M5LFVWQ-7
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
DMT69M5LFVWQ-7-DG
מחיר ליחידה
0.29
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
UPA1727G-E1-AT
UPA1727G-E1-AT - MOS FIELD EFFEC
G3R12MT12K
1200V 12M TO-247-4 G3R SIC MOSFE
DMN10H220LFVW-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
