SQJ403BEEP-T1_BE3
מספר מוצר של יצרן:

SQJ403BEEP-T1_BE3

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

SQJ403BEEP-T1_BE3-DG

תיאור:

P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
תיאור מפורט:
P-Channel 30 V 30A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

מלאי:

2965 יחידות חדשות מק originales במלאי
13000434
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

SQJ403BEEP-T1_BE3 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
30A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
8.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
164 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
68W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SO-8
חבילה / מארז
PowerPAK® SO-8

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
742-SQJ403BEEP-T1_BE3CT
742-SQJ403BEEP-T1_BE3DKR
742-SQJ403BEEP-T1_BE3TR
חבילה סטנדרטית
3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
diodes

DMP3028LFDEQ-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-

goford-semiconductor

9926

N20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<30

vishay-siliconix

SIHP22N60AE-BE3

N-CHANNEL 600V

goford-semiconductor

60N06

N60V,RD(MAX)<17M@10V,RD(MAX)<21M