DMT6002LPS-13

מספר מוצר של יצרן:

DMT6002LPS-13

Product Overview

יצרן:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics מספר חלק:

DMT6002LPS-13-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

תיאור מפורט:

N-Channel 60 V 100A (Tc) 2.3W Surface Mount PowerDI5060-8 (Type K)

מלאי:

2486 יחידות חדשות מק originales במלאי

12889174

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

DMT6002LPS-13 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Diodes Incorporated

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

60 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

100A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

2mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

3V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

130.8 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

6555 pF @ 30 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

2.3W

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

כיתה

Automotive

ההסמכה

AEC-Q101

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

PowerDI5060-8 (Type K)

חבילה / מארז

8-PowerTDFN

מספר מוצר בסיסי

DMT6002

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

DMT6002LPS-13-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

31-DMT6002LPS-13DKR

DMT6002LPS-13-DG

31-DMT6002LPS-13TR

31-DMT6002LPS-13CT

חבילה סטנדרטית

2,500

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3J66MFV,L3F

MOSFET P-CH 20V 800MA VESM

2SK3466(TE24L,Q)

MOSFET N-CH 500V 5A 4TFP

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K324R,LF

MOSFET N-CH 30V 4A SOT-23F

toshiba-semiconductor-and-storage

2SK3309(TE24L,Q)

MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM