מספר מוצר של יצרן:
2SK3309(TE24L,Q)
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
2SK3309(TE24L,Q)-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM
תיאור מפורט:
N-Channel 450 V 10A (Ta) 65W (Tc) Surface Mount TO-220SM
מלאי:
12889192
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
2SK3309(TE24L,Q) מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
450 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
10A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
650mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
23 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
920 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
65W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-220SM
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
2SK3309
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TK32E12N1,S1X
MOSFET N CH 120V 60A TO-220
TK4A60DB(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS
TK4P50D(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
