מספר מוצר של יצרן:
DMT12H090LFDF4-7
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
DMT12H090LFDF4-7-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
תיאור מפורט:
N-Channel 115 V 3.4A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount X2-DFN2020-6
מלאי:
13270096
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
DMT12H090LFDF4-7 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
115 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3.4A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
3V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
90mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
6 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±12V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
251 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
900mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
X2-DFN2020-6
חבילה / מארז
6-PowerXDFN
מספר מוצר בסיסי
DMT12
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
31-DMT12H090LFDF4-7TR
31-DMT12H090LFDF4-7CT
31-DMT12H090LFDF4-7DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMT67M8LCG-7
MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFN
DMT6017LFDF-7
MOSFET N-CH 65V 8.1A 6UDFN
DMT67M8LCGQ-13
MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFN