DMT6017LFDF-7

מספר מוצר של יצרן:

DMT6017LFDF-7

Product Overview

יצרן:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics מספר חלק:

DMT6017LFDF-7-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 65V 8.1A 6UDFN

תיאור מפורט:

N-Channel 65 V 8.1A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

13270100

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

DMT6017LFDF-7 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Diodes Incorporated

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

65 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

8.1A (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

18mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2.3V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

15.3 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±16V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

891 pF @ 30 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

800mW (Ta)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

U-DFN2020-6 (Type F)

חבילה / מארז

6-UDFN Exposed Pad

מספר מוצר בסיסי

DMT6017

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

DMT6017LFDF-7-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

31-DMT6017LFDF-7TR

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

diodes

DMT67M8LCGQ-13

MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFN

diodes

DMT12H065LFDF-13

MOSFET N-CH 115V 4.3A 6UDFN

diodes

DMP2110UW-7

MOSFET P-CH 20V 2A SOT323

diodes

DMTH6010LPSW-13

MOSFET N-CH 60V 15.5A/80A PWRDI