מספר מוצר של יצרן:
DMT10H025LSS-13
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
DMT10H025LSS-13-DG
תיאור:
MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 7.1A (Ta) 1.3W (Ta), 12.9W (Tc) Surface Mount 8-SO
מלאי:
12979095
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
DMT10H025LSS-13 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7.1A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
25mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
22.9 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1639 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.3W (Ta), 12.9W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SO
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
מספר מוצר בסיסי
DMT10
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
31-DMT10H025LSS-13TR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMT10H9M9SSS-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
DMT69M5LCG-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
DMT10H9M9LSS-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
