DMP2100UFU-13

מספר מוצר של יצרן:

DMP2100UFU-13

Product Overview

יצרן:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics מספר חלק:

DMP2100UFU-13-DG

תיאור:

MOSFET 2P-CH 20V 5.7A 6UDFN

תיאור מפורט:

Mosfet Array 20V 5.7A 900mW Surface Mount U-DFN2030-6 (Type B)

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12893899

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

DMP2100UFU-13 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET

יצרן

Diodes Incorporated

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

תצורה

2 P-Channel (Dual)

תכונת FET

-

ניקוז למתח מקור (Vdss)

20V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

5.7A

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

38mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

1.4V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

21.4nC @ 10V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

906pF @ 10V

הספק - מקס'

900mW

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

6-UDFN Exposed Pad

חבילת מכשירים לספקים

U-DFN2030-6 (Type B)

מספר מוצר בסיסי

DMP2100

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

DMP2100UFU-13-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

DMP2100UFU-13DI

חבילה סטנדרטית

10,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

diodes

DMN32D4SDW-7

MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

diodes

DMN601DMK-7

MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26

taiwan-semiconductor

TSM9933DCS RLG

MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOP

diodes

DMT3006LDV-7

MOSFET 2N-CH 30V 25A POWERDI3333