DMT3006LDV-7
מספר מוצר של יצרן:

DMT3006LDV-7

Product Overview

יצרן:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics מספר חלק:

DMT3006LDV-7-DG

תיאור:

MOSFET 2N-CH 30V 25A POWERDI3333
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V 25A (Tc) 900mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UXC)

מלאי:

12894360
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

DMT3006LDV-7 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
25A (Tc)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
10mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
16.7nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1155pF @ 15V
הספק - מקס'
900mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-PowerVDFN
חבילת מכשירים לספקים
PowerDI3333-8 (Type UXC)
מספר מוצר בסיסי
DMT3006

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית
2,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
diodes

DMT47M2LDV-13

MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333

micro-commercial-components

SIX3439K-TP

MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT563

diodes

DMN62D0UDW-7

MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363

taiwan-semiconductor

TSM6866SDCA RVG

MOSFET 2N-CH 20V 6A 8TSSOP