מספר מוצר של יצרן:
DMNH6011LK3-13
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
DMNH6011LK3-13-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 55V 80A TO252 T&R
תיאור מפורט:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount TO-252 (DPAK)
מלאי:
12901015
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
DMNH6011LK3-13 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
55 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
80A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
12mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
49.1 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±12V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3077 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.6W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252 (DPAK)
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
DMNH6011
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMN10H170SVT-7
MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
DMT68M8LPS-13
MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
TSM2302CX RFG
MOSFET N-CHANNEL 20V 3.9A SOT23
