מספר מוצר של יצרן:
DMN95H8D5HCT
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
DMN95H8D5HCT-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 950V 2.5A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 950 V 2.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB (Type TH)
מלאי:
12949375
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
DMN95H8D5HCT מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
950 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
7.9 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
470 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
125W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB (Type TH)
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
DMN95
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
DMN95H8D5HCT-DG
DMN95H8D5HCTDI
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IXTP2N100
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXTP2N100-DG
מחיר ליחידה
3.24
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IXTP2R4N120P
יצרן
IXYS
כמות זמינה
14
DiGi מספר חלק
IXTP2R4N120P-DG
מחיר ליחידה
3.25
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IXTP2N100P
יצרן
IXYS
כמות זמינה
136
DiGi מספר חלק
IXTP2N100P-DG
מחיר ליחידה
1.49
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMN6040SFDE-7
MOSFET N-CH 60V 5.3A 6UDFN
DMNH4006SK3Q-13
MOSFET N-CH 40V 20A/140A TO252
DMN2041L-7
MOSFET N-CH 20V 6.4A SOT23-3
