מספר מוצר של יצרן:
IXTP2N100P
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXTP2N100P-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1000V 2A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 1000 V 2A (Tc) 86W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
136 יחידות חדשות מק originales במלאי
12820967
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXTP2N100P מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
Polar
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1000 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
7.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 100µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
24.3 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
655 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
86W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IXTP2
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
-IXTP2N100P
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXKC23N60C5
MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS220
IXTA08N50D2
MOSFET N-CH 500V 800MA TO263
IXKN75N60C
MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B