מספר מוצר של יצרן:
DMN65D8LDWQ-7
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
DMN65D8LDWQ-7-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
תיאור מפורט:
Mosfet Array 60V 180mA 300mW Surface Mount SOT-363
מלאי:
4429 יחידות חדשות מק originales במלאי
12894960
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
DMN65D8LDWQ-7 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
180mA
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
6Ohm @ 115mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
0.87nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
22pF @ 25V
הספק - מקס'
300mW
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
חבילת מכשירים לספקים
SOT-363
מספר מוצר בסיסי
DMN65
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
31-DMN65D8LDWQ-7DKR
DMN65D8LDWQ-7-DG
31-DMN65D8LDWQ-7CT
31-DMN65D8LDWQ-7TR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMT3009LDT-7
MOSFET 2N-CH 30V 30A 8VDFN
DMT47M2LDV-7
MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333
DMT10H017LPD-13
MOSFET 2N-CH 100V 54.7A PWRDI50
