מספר מוצר של יצרן:
DMT10H017LPD-13
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
DMT10H017LPD-13-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 100V 54.7A PWRDI50
תיאור מפורט:
Mosfet Array 100V 54.7A (Tc) 2.2W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
מלאי:
2475 יחידות חדשות מק originales במלאי
12895307
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
DMT10H017LPD-13 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
54.7A (Tc)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
17.4mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
28.6nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1986pF @ 50V
הספק - מקס'
2.2W (Ta), 78W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
חבילת מכשירים לספקים
PowerDI5060-8
מספר מוצר בסיסי
DMT10
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
31-DMT10H017LPD-13DKR
31-DMT10H017LPD-13TR
DMT10H017LPD-13-DG
31-DMT10H017LPD-13CT
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMNH6065SPDWQ-13
MOSFET 2N-CH 60V 27A POWERDI50
DMP2066LSD-13
MOSFET 2P-CH 20V 5.8A 8SO
TSM500P02DCQ RFG
MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 6TDFN
