מספר מוצר של יצרן:
DMN3060LW-13
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
DMN3060LW-13-DG
תיאור:
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 2.6A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-323
מלאי:
12978536
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
DMN3060LW-13 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.6A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
60mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.8V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
5.6 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±12V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
395 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
500mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-323
חבילה / מארז
SC-70, SOT-323
מספר מוצר בסיסי
DMN3060
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
31-DMN3060LW-13TR
חבילה סטנדרטית
10,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
DMN3060LWQ-7
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
3000
DiGi מספר חלק
DMN3060LWQ-7-DG
מחיר ליחידה
0.05
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMP65H13D0HSS-13
MOSFET BVDSS: 501V~650V SO-8 T&R
2SK3357-A
2SK3357 - N-CHANNEL POWER MOSFET
DMP3045LFVWQ-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
